E1.S 4TS2-P

特長

  • 最大6,900MB/sの読み取り速度、4,700MB/sの書き込み速度
  • -40°C ~ 85°Cの温度範囲をサポートし、ダイナミックサーマルスロットリングによりSSDの安定性を維持
  • PLP (iCell) 技術による停電保護
  • SSD耐久ワークロードJESD219に準拠
  • ホットスワップ機能や高度な機能を備え、データセンターブートドライブに適しています

仕様

Model NameE1.S 4TS2-P
Flash Type3D TLC
InterfacePCIe Gen 4 x4
Form FactorE1.S
Capacity400GB ~ 6.4TB
Sequential R / W (MB/sec, max.)6,900 / 4,650
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)9,400
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption12.4W
Max. Channels8
External DRAM Buffer
FeaturesPLP (iCell), AES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T.
SeriesData Center SSD
Dimension (W x L x H/mm)5.9mm : 31.5 x 111.5 x 5.9 9.5mm : 33.75 x 118.75 x 9.5 15mm : 33.75 x 118.75 x 15.0
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock1500G@0.5ms
MTBF>3 million hours
Warranty5 Years

注文情報

動作温度標準温度
(0°C ~ 70°C)
産業用温度 
(-40°C ~ 85°C)
400GBDSE1S-400DP2KCAEFP%DSE1S-400DP2KWAEFP%
800GBDSE1S-800DP2KCAEFP%DSE1S-800DP2KWAEFP%
1.6TBDSE1S-1T6DP2KCAEFP%DSE1S-1T6DP2KWAEFP%
3.2TBDSE1S-3T2DP2KCAEFP%DSE1S-3T2DP2KWAEFP%
6.4TBDSE1S-6T4DP2KCBEFP%DSE1S-6T4DP2KWBEFP%

Operation temperature based on temperature obtained from S.M.A.R.T.
% : Non-existent=5.9mm / H=9.5mm enclosure / H1=15mm enclosure
E1.S 4TS2-P specifications are subject to change.