M.2 (P110) 4TS2-P

特長

  • 最大6,950MB/sの読み取り速度、4,700MB/sの書き込み速度
  • -40°C ~ 85°Cの温度範囲をサポートし、ダイナミックサーマルスロットリングによりSSDの安定性を維持
  • PLP(iCell)技術による停電保護

仕様

Model NameM.2 (P110) 4TS2-P
Flash Type3D TLC
InterfacePCIe Gen 4 x4
Form FactorM.2 22110 M Key
Capacity400GB ~ 3.2TB
Sequential R / W (MB/sec, max.)6,950 / 4,700
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)5,312
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption10.1W
Max. Channels8
External DRAM Buffer
FeaturesPLP (iCell), AES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T.
SeriesData Center SSD
Dimension (W x L x H/mm)S/T with heat-spreading copper layer : 22.0 x 110.0 x 3.3 W/T with heatsink : 25.0 x 110.0 x 14.45 Pure M.2 : 22.0 x 110.0 x 2.87
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock1500G@0.5ms
MTBF>3 million hours
Warranty5 Years

注文情報

動作温度標準温度(0°C ~ 70°C)産業用温度(-40°C ~ 85°C)
400GBDSM21-400DP1KCBEFPDSM21-400DP1KWBEFPH
800GBDSM21-800DP1KCBEFPDSM21-800DP1KWBEFPH
1.6TBDSM21-1T6DP1KCBEFPDSM21-1T6DP1KWBEFPH
3.2TBDSM21-3T2DP1KCBEFPDSM21-3T2DP1KWBEFPH

M.2 (P80) 4TS2-P

特長

  • 最大6,950MB/sの読み取り速度、4,650MB/sの書き込み速度
  • -40°C ~ 85°Cの温度範囲をサポートし、ダイナミックサーマルスロットリングによりSSDの安定性を維持
  • PLP(iCell)技術による停電保護

仕様

Model NameM.2 (P80) 4TS2-P
Flash Type3D TLC
InterfacePCIe Gen 4 x4
Form FactorM.2 2280 M Key
Capacity400GB ~ 3.2TB
Sequential R / W (MB/sec, max.)6,950 / 4,650
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)5,312
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption6.7W
Max. Channels8
External DRAM Buffer
FeaturesPLP (iCell), AES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T.
SeriesData Center SSD
Dimension (W x L x H/mm)S/T with heat-spreading copper layer : 22.0 x 80.0 x 3.3 W/T with heatsink : 25.0 x 80.0 x 14.45 Pure M.2 : 22.0 x 80.0 x 2.87
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock1500G@0.5ms
MTBF>3 million hours
Warranty5 Years

注文情報

動作温度標準温度(0°C ~ 70°C)産業用温度(-40°C ~ 85°C)
400GBDSM28-400DP1KCCEFDSM28-400DP1KWCEFH
800GBDSM28-800DP1KCCEFDSM28-800DP1KWCEFH
1.6TBDSM28-1T6DP1KCCEFDSM28-1T6DP1KWCEFH
3.2TBDSM28-3T2DP1KCCEFDSM28-3T2DP1KWCEFH

For TCG OPAL function, the PN Code 10th ~ 12th will be DP2.