M.2 (P80) 3TE4 B+M Key

特長

  • PCIe Gen 3 x2およびNVMe 1.3に対応
  • DRAMレス設計
  • 耐振動機械設計
  • ダイナミックサーマルスロットリング
  • iPower Guard保護機能

仕様

Model NameM.2 (P80) 3TE4 B+M Key
Flash Type3D TLC
InterfacePCIe Gen 3 x2
Form FactorM.2 2280 B+M Key
Capacity128GB ~ 1TB
Sequential R / W (MB/sec, max.)1,750 / 1,500
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)1,300
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption3.4W
Max. Channels4
External DRAM BufferN
FeaturesAES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)S/T : 22.0 x 80.0 x 3.5 W/T with heat-spreading copper layer : 22.0 x 80.0 x 4.1
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock1500G@0.5ms
MTBF>3 million hours
Warranty3 Years

注文情報

動作温度標準温度(0°C ~ 70°C)産業用温度(-40°C ~ 85°C)
128GBDEM28-A28IB1KCCDFDEM28-A28IB1KWCDF
256GBDEM28-B56IB1KCCQFDEM28-B56IB1KWCQF
512GBDEM28-C12IB1KCCQFDEM28-C12IB1KWCQF
1TBDEM28-01TIB1KCCQFDEM28-01TIB1KWCQF

For TCG OPAL function, the PN Code 10th ~12th will be IB2.

M.2 (P42) 3TE4 B+M Key

特長

  • PCIe Gen 3 x2およびNVMe 1.3に対応
  • DRAMレス設計
  • 耐振動機械設計
  • ダイナミックサーマルスロットリング
  • iPower Guard保護機能

仕様

Model NameM.2 (P42) 3TE4 B+M Key
Flash Type3D TLC
InterfacePCIe Gen 3 x2
Form FactorM.2 2242 B+M Key
Capacity128GB ~ 512GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)1,750 / 1,400
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)650
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption3.3W
Max. Channels4
External DRAM BufferN
FeaturesAES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)S/T : 22.0 x 42.0 x 3.5 W/T with heat-spreading copper layer : 25.0 x 42.0 x 4.1
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock1500G@0.5ms
MTBF>3 million hours
Warranty3 Years

注文情報

動作温度標準温度(0°C ~ 70°C)産業用温度(-40°C ~ 85°C)
128GBDEM24-A28IB1KCCDFDEM24-A28IB1KWCDF
256GBDEM24-B56IB1KCCQFDEM24-B56IB1KWCQF
512GBDEM24-C12IB1KCCQFDEM24-C12IB1KWCQF

For TCG OPAL function, the PN Code 10th ~ 12th will be IB2.